首页> 外文OA文献 >Noise Characteristics of 100nm-scaleGaAs/Al_xGa_{1-x}As Scanning Hall Probes

【2h】

Noise Characteristics of 100nm-scaleGaAs/Al_xGa_{1-x}As Scanning Hall Probes

机译：100nm-Gaas / al_xGa_ {1-x}扫描霍尔探针的噪声特性

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
Hicks, C.W.; Luan, L.; Moler, K.A.; /Stanford U., Geballe Lab.; Zeldov, E.; Inst., /Weizmann;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2007
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Noise characteristics of 100 nm scale GaAs/Al_xGa_(1-x)As scanning Hall probes [J] . C. W. Hicks, L. Luan, K. A. Moler, Applied Physics Letters . 2007,第13期

机译：100 nm尺度GaAs / Al_xGa_（1-x）As扫描霍尔探头的噪声特性
2. Quantum corrections to the conductivity and Hall coefficient of a two-dimensional electron gas in a dirty Al_xGa_(1-x)As/GaAs/Al_xGa_(1-x)As quantum well: From the diffusive to the ballistic regime [J] . V. T. Renard, I. V. Gornyi, O. A. Tkachenko, Physical review. B, Condensed Matter And Materials Physics . 2005,第7期

机译：肮脏的Al_xGa_（1-x）As / GaAs / Al_xGa_（1-x）As量子阱中二维电子气的电导率和霍尔系数的量子校正：从扩散态到弹道态
3. Decomposition of 1/f Noise in Al_xGa_(1-x)As/GaAs Hall Devices [J] . Jens Mueller, Stephan von Molnar, Yuzo Ohno, Physical review letters . 2006,第18期

机译：Al_xGa_（1-x）As / GaAs霍尔器件中1 / f噪声的分解
4. Excess noise characteristics of single heterojunction Al_xGa_(1-x)As-GaAs Avalanche Photodiodes [C] . Christopher Groves, John P.R. David, Peter N. Robson, Conference on Integrated Optics and Photonic Integrated Circuits; 20040427-20040429; Strasbourg; FR . 2004

机译：单异质结Al_xGa_（1-x）As-GaAs雪崩光电二极管的噪声特性过高
5. Application of Scanning Hall Probe Microscopy for high throughput characterization of combinatorial magnetic materials. [D] . Shamsutdinov, Girfan. 2013

机译：扫描霍尔探针显微镜在组合磁性材料高通量表征中的应用。
6. Real-time dynamic range and signal to noise enhancement in beam-scanning microscopy by integration of sensor characteristics data acquisition hardware and statistical methods [O] . David J. Kissick, Ryan D. Muir, Shane Z. Sullivan, -1

机译：通过集成传感器特性数据采集硬件和统计方法实时动态范围和光束扫描显微镜的噪声增强
7. Imaging capability of pseudomorphic high electron mobility transistors, AlGaN/GaN, and Si micro-Hall probes for scanning Hall probe microscopy between 25 and 125 °c [O] . Akram, R., Dede, M., Oral, A. 2009

机译：伪形高电子迁移率晶体管，AlGaN / GaN和Si微型霍尔探针的成像能力，可在25至125°c之间扫描霍尔探针显微镜

Noise Characteristics of 100nm-scaleGaAs/Al_xGa_{1-x}As Scanning Hall Probes

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅